在电子电路中，经常会出现MOS管和IGBT管，它们都可以用作开关元件。 MOS管和IGBT管在外观和特性参数上也相对相似。
那么，为什么有些电路使用MOS管而有些电路使用IGBT管呢？让我们看一下MOS管和IGBT管之间的区别！什么是MOS管有两种主要类型的场效应晶体管，即结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOS管）。 MOS管是MOSFET。
中文全称是金属氧化物半导体场效应晶体管。由于此场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此也称为绝缘栅场效应管。
MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型。 P信道的耗尽型和增强型四大类。
MOSFET的类型和电路符号一些MOSFET的内部有一个二极管，它是一个体二极管，或者称为寄生二极管或续流二极管。关于寄生二极管的作用，有两种解释：MOSFET的寄生二极管可防止VDD过压时MOSFET烧坏，因为在过压导致MOSFET损坏之前，二极管首先会击穿击穿电压，这将使MOSFET损坏。
大电流直接流向地面，以防止MOS管烧毁。当MOS管的源极和漏极反向连接时，可以防止MOS管烧坏。
当电路具有反向感应电压时，它还可以提供反向感应电压的路径，以避免MOS管因反向感应电压击穿。 MOSFET具有高输入阻抗，快速开关速度，良好的热稳定性和电压控制电流的特性。
在电路中，它可以用作放大器，电子开关和其他用途。什么是IGBT IGBT（绝缘栅双极晶体管）是绝缘栅双极晶体管，是由晶体管和MOS管组成的复合半导体器件。
IGBT作为一种新型的电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，电流大的特点。它已被广泛用于各种电子电路中。
到目前为止，IGBT的电路符号尚未统一。在绘制示意图时，通常使用三极管和MOS管的符号。
此时，可以根据示意图上标记的模型判断是IGBT还是MOS管。同时，请注意IGBT是否具有体二极管。
在图表上未标记的事实并不意味着它不存在。除非官方信息特别声明，否则将存在此二极管。
IGBT内部的体二极管不是寄生的，而是经过专门设置以保护IGBT的脆弱反向耐受电压，也称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否存在体二极管并不难。
您可以使用万用表测量IGBT的C极和E极。如果IGBT良好并且C和E极的测得电阻值是无限的，则意味着IGBT没有体二极管。
IGBT非常适合诸如交流电动机，变频器，开关电源，照明电路，牵引驱动器和其他领域的应用。 MOS管和IGBT的结构特征MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
通过在MOSFET的漏极上添加一层来构造IGBT。 IGBT的理想等效电路如下图所示。
IGBT实际上是MOSFET和晶体管的组合。 MOSFET具有高导通电阻的缺点，但IGBT克服了这一缺点，而IGBT在高电压下仍具有低导通电阻。
。另外，对于功率相似的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET慢，这是因为IGBT具有关断尾部时间。
由于IGBT的关断尾端时间长，死区时间会更长，这会影响开关频率。选择MOS管或IGBT在电路中，选择MOS管作为功率开关管还是IGBT管是工程师经常遇到的问题。
如果考虑系统电压，电流，开关功率和其他因素，可以总结以下几点：您还可以从下图看到两者的使用条件。阴影区域表示可以同时使用MOSFET和IGBT。
“？”表示当前进程无法达到的级别。通常，MOSFET的优势在于它具有良好的高频特性，并且其工作频率可以达到数百kHz甚至高达MHz。
缺点是在高电压和大电流情况下导通电阻很大。功耗大；当我
