随着社会的飞速发展，我们的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）也在迅速发展，那么您知道氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）的详细分析吗？编辑带领每个人详细了解相关知识。
德州仪器（TI）推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），从而进一步丰富和扩展了其高压电源管理产品线。
与现有解决方案相比，新的GaNFET系列使用快速开关的2.2MHz集成栅极驱动器，可以帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并且将功率磁性器件的尺寸减小59％。
TI开发了一种新型FET，它具有独特的GaN材料和在基于硅（Si）的氮化镓衬底上的处理能力。
与类似的衬底材料（例如碳化硅（SiC））相比，它具有更多的成本和供应链优势。
。
德州仪器（TI） GaN FET器件系列产品集成了独特的功能和保护功能，以实现简化的设计，实现更高的系统可靠性并优化高压电源的性能，从而为传统的级联和独立的GaN FET程序提供智能的替代解决方案。
StrategyAnalyTIcs动力总成，车身，底盘和安全服务总监Asif Anwar表示：“ GaN等宽带隙半导体技术无疑为电力电子设备（尤其是高压系统）带来了更稳定的性能。
德州仪器（TI）已投资十余年并进行开发，提供了独特的整体解决方案，将内部GaN-on-Si器件的生产和封装与优化的基于硅的驱动器技术相结合，可以成功地在GaN的新应用中采用。
较小，更有效的解决方案：与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，德州仪器（TI）的集成GaN功率级可以使功率密度加倍，并减少80％的损耗。
每个器件具有1MHz的快速开关频率和高达100V / ns的压摆率。
德州仪器（TI）高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses说：“工业和汽车应用越来越需要在更小的空间内提供更多的电源。
设计人员必须提供一种电源管理系统，该系统可以在终端设备的长寿命周期内可靠运行。
TI的GaN技术通过超过4,000万小时的设备可靠性测试和超过5GWh的功率转换应用测试，为工程师提供了可满足任何市场需求的可靠的全生命周期保证。
“系统可靠性：该产品组合经过了2000万小时的设备可靠性测试，包括加速和应用内硬开关测试。
此外，每个器件都提供集成的散热和100ns高速高速过流保护，以防止击穿和短路情况。
用更少的设备获得双倍的功率密度在高压，高密度应用中，最小化电路板空间是重要的设计目标。
随着电子系统变得越来越小，它们的内部组件必须继续缩小并变得更加紧凑。
TI的新型GaNFET集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够减小电路板尺寸和功耗，同时在电源管理设计中实现高性能。
这种集成加上TIGaN技术的高功率密度，使工程师能够在通常的分立解决方案中减少10个以上的组件。
此外，当以半桥配置应用时，每个新的30mΩFET可以支持高达4kW的功率转换。
每个功率级别的设备：在50mΩ或70mΩ的条件下，该产品组合中的每个设备都提供GaN FET，驱动器和保护功能，可以为100W至10kW以下的应用提供单芯片解决方案。
创造TI更高的功率因数校正（PFC）效率GaN具有快速切换的优势，可实现更小，更轻，更高效的电源系统。
过去，为了获得快速的开关性能，将会有更高的功率损耗。
为了避免此类不利后果，新型GaNFET使用TI的智能死区自适应功能来减少功率损耗。
例如，在PFC中，与分立的GaN和SiC金属氧化物硅FET（MOSFET）相比，智能死区自适应功能可以将第三象限损耗降低多达66％。
智能死区自适应功能还消除了控制自适应死区时间的需要，从而降低了固件的复杂性和开发时间。
有关更多信息，请阅读应用笔记“通过智能死区最大化GaN性能”。
