据昨天报道，我国已成功研制出第三代半导体氮化镓功率芯片。芯片实验室来自重庆邮电大学。
重庆邮电大学光电工程学院副教授黄毅表示，第三代半导体氮化镓功率芯片主要用于汽车电子，消费类电源和数据中心。它们具有体积小，效率高和功耗低的特点。
而且该功率半导体芯片可以节省超过10％的电量，面积约为硅芯片的1/5，开关速度提高了10倍以上。目前，该项目已经进入实验应用阶段，有望在未来的各种节电领域和大数据中心中得到应用。
值得注意的是，重庆邮电大学规划的重庆集成电路设计创新孵化中心已经落户西部（重庆）科学城。该中心将重点建设重庆集成电路公共设计，测试分析，半导体技术等集成电路中试平台，结合重庆新兴产业的需求，提供低成本，高效率的服务。
集成电路公共服务和专业技术支持；孵化人工智能芯片，公安芯片，化合物半导体芯片等领域的一批高端科技成果和高新技术企业。
