肖特基势垒是指具有整流特性的金属 - 半导体触点，正如二极管具有整流特性一样。
它是在金属 - 半导体边界上形成的整流区域。
由金属和n型半导体形成的肖特基势垒如图2所示。
金属 - 半导体整体在热平衡中具有相同的费米能级。
肖特基势垒和PN接口之间的最大区别在于它具有较低的界面电压和在金属端处相对较薄（几乎不存在）的耗尽区宽度。
从半导体到金属，电子需要克服障碍;从金属到半导体，电子被屏障阻挡。
当施加正向偏压时，半导体侧的势垒降低;相反，当施加反向偏压时，半导体侧的势垒增加。
这使得金属 - 半导体接触整流（但不是所有金属 - 半导体接触）。
如果金属的功函数大于用于P型半导体的半导体的功函数，则金属的功函数小于用于N型半导体的半导体的功函数，并且发生欧姆接触当半导体杂质浓度不小于10 ^ 19 / cm 3时。
由于杂质浓度高，它将具有隧道效应，因此阻挡层不具有整流效果。
并非所有金属 - 半导体结都具有整流特性，并且不具有整流特性的金属 - 半导体结被称为欧姆接触。
整流特性由金属的功函数，本征半导体的能隙以及半导体的掺杂类型和浓度决定。
在设计半导体器件时，肖特基效应非常熟悉，以确保在需要欧姆接触的情况下不会意外地产生肖特基势垒。
当均匀掺杂半导体时，肖特基势垒的空间电荷层宽度与单侧突变P-N结的耗尽层宽度一致。
由于肖特基势垒具有较低的界面电压，因此可以应用于器件需要接近理想二极管的位置。
在电路设计中，它们也与普通二极管和晶体管一起使用。
它们的主要功能是以较低的接口电压保护电路上的其他器件。
然而，与其他半导体器件相比，肖特基器件从始至终可用于广泛的应用。
肖特基二极管，肖特基势垒本身作为器件是肖特基二极管。
肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管FET：金属与碳纳米管之间的接触并不理想，因此堆垛层错导致肖特基势垒，因此我们可以利用这种势垒制作肖特基二极管或晶体管等。
