EPC最近推出了两款100 V eGaN FET（EPC2218和EPC2204），它们是增强型硅上氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导者，具有更高的性能和更低的成本。
低，可立即发货。
这些先进的氮化镓器件的应用非常广泛，包括同步整流器，D类音频放大器，汽车信息娱乐系统，DC / DC转换器（硬开关和谐振），以及全自动驾驶汽车，机器人和无人驾驶汽车。
飞机的激光雷达系统。
EPC2218（3.2mΩ，231 Apulsed）和EPC2204（6mΩ，125 Apulsed）的导通电阻比上一代eGaN FET低近20％，额定直流功率得以提高。
与基准硅器件相比，这两个GaN器件具有更高的性能。
EPC2204的导通电阻降低了25％，但尺寸却减小了3倍。
与参考硅MOSFET器件相比，其栅极电荷（QG）不到50％，并且像所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），因此D类音频放大器可以实现更低的失真和更高的效率同步整流器和电动机驱动器。
EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示，100 V基准硅场效应晶体管和100 V GaN场效应晶体管的性能比较：“我们期望最新一代和更高性能的100 V eGaN FET更加昂贵。
但是，这些最新的100 V晶体管的价格类似于等效的老化设备。
我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势在于更高的性能，更小的尺寸，更高的散热效率以及相似的成本。
氮化镓器件功率MOSFET器件的替换正在加速。
