麦克风的测试条件; MIC的使用应规定其工作电压和负载电阻，并对不同使用条件的灵敏度有很大影响。
电压消耗1.电流消耗：麦克风的工作电流主要是VSG = 0时FET的电流。
根据FET的分级，麦克风可以制成不同的工作电流。
然而，对于低工作电压和高负载电阻，对工作电流有严格的要求。
电气原理图显示VS = VSD + ID×RL ID =（VS-VSD）/ RL，其中ID FET在VSG处等于零。
电流RL是负载电阻VSD，即FET的S和D之间的电压降VS是标准工作电压。
总要求是100μA<100。
IDS＆lt; 500μA2。
灵敏度：在单位声压下产生电压的能力。
单位：V / Pa或dBV / Pa有些公司使用dBV /μBar-40 dBV / Pa = -60dBV /μBar0dBV / Pa = 1V / Pa声压Pa = 1N / m2 3.输出阻抗：基本等效负载电阻RL（1-70 [％]）。
4，方向和频率响应特性曲线：a，全向：MIC灵敏度在相同距离的任何方向上相等，全方位MIC的结构全部密封在PCB上，因此，声压仅来自MIC声音孔进入，因此是压力型麦克风。
频率特性图：b。
单向单向MIC具有方向性。
如果MIC的音孔与声源相距0度，则灵敏度在0度时最高，灵敏度在180度时最低，并且心形是全方位的。
单向MIC的结构不同于全向MIC的结构。
它在PCB上有一些孔。
声音可以从音孔和PCB的开口进入。
MIC内部还配备了吸音材料，因此介于两者之间。
MIC之间的压差。
频率特性图：c。
去噪类型：差压式MIC。
它与单向MIC的不同之处在于内部没有吸音材料，其方向图案是8字形。
频率特性：5。
频率范围：全向：50~12000Hz 20~16000Hz单向：100~12000Hz 100~16000Hz去噪：100~10000Hz 6.最大声压级：指MIC的失真3 [％]声压级，声压级定义：20μpa= 0dBSPL MaxSPL为115dBSPLA SPL声压级A为A加权7，S / N信噪比：MIC在相同条件下的灵敏度与麦克风本身噪声之比，有关详细信息，请参阅产品手册噪声主要是FET本身的噪声。
1.从工作原理：碳颗粒型电磁式电容器驻极体型电容器（以下主要基于驻极体型）压电晶体型，压电陶瓷型二氧化硅型等.2。
尺寸点，驻极体可分为几种类型。
Φ9.7系列产品Φ8系列产品Φ6系列产品Φ4.5系列产品Φ4系列产品Φ3系列产品各系列高度不同3，麦克风头方向性，可分为全向，单向，双向（也称为去噪）4，从偏振模式，隔膜式，后极式，前极式可分为门点焊式，门压式，极环式5型，外接式连接方法，常见焊点类型：L型带PIN引脚型：P型同心圆：S型从静电中已知，对于平行板电容，有以下关系：C =ε。
S / L ...... 1是电容器的电容与介质的介电常数成正比，与两个板的面积成正比，与两个板之间的距离成反比。
另外，当电容器充有一定量的Q时，电容器的两个极板必须形成一定的电压，具有以下关系：C = Q / V ...... 2对于驻极体麦克风，里面有振动。
由膜，垫圈和板组成的电容器。
由于膜充满电荷并且是塑料膜，当膜片受到声压时，膜片振动，从而改变膜片和板。
它们之间的距离改变了电容器的两个极板之间的距离，并且产生了Δd的变化。
因此，从等式1可知，ΔC的变化是不可避免的，并且等式2也知道由于ΔC的变化引起的充电再次固定电荷，因此ΔV的变化是不可避免的。
这最初完成了从声学信号到电信号的转换。
由于该信号非常弱，内部电阻非常高，不能直接使用，因此也进行阻抗变换和放大。
FET FET是电压控制元件，其输出电流由源极和栅极电压控制。
由于电容器的两极连接到FET的S和G极，因此在FET的S极和G极之间增加Δv的变化，并且FET的漏极电流I产生ΔID的变化。
数量，因此该电流的变化量在电阻器RL上产生ΔVD的变化。
可以通过电容器C0输出该电压的变化量。
该电压的变化量是由声压引起的，因此整个麦克风就完成了。
声音和电源的转换过程。
FET（场效应晶体管）MIC的主要成分用作阻抗变换或放大。
C：它是一种可以通过膜片振动改变电容的电容器，膜片振动是声电转换的主要组成部分。
设置C1和C2以防止射频干扰，并且可以分别抑制两个射频频带的干扰。
RL：负载电阻，其大小决定了灵敏度。
VS：工作电压，MIC提供工作电压。
CO：隔直电容，信号输出。
